國有資產(chǎn)管理處教室投影機(jī)、幕布(WSJJ20250073)網(wǎng)上競價(jià)采購公告

延期理由：

由于該項(xiàng)目報(bào)價(jià)情況不滿足要求，本項(xiàng)目延期至**** 19:00

項(xiàng)目名稱

氮化硅LPCVD流片

項(xiàng)目編號

****

公告開始日期

**** 17:17:58

公告截止日期

**** 19:00:00

采購單位

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付款方式

貨到付款，甲方在到貨驗(yàn)收后15日內(nèi)向乙方一次性支付本項(xiàng)目的總額

聯(lián)系人

成交后在我參與的項(xiàng)目中查看

聯(lián)系電話

成交后在我參與的項(xiàng)目中查看

簽約時間要求

成交后3個工作日內(nèi)

到貨時間要求

預(yù)算總價(jià)

￥ 360,000.00

收貨地址

供應(yīng)商資質(zhì)要求

符合《政府采購法》第二十二條規(guī)定的供應(yīng)商基本條件

公告說明

由于該項(xiàng)目報(bào)價(jià)情況不滿足要求，本項(xiàng)目延期至**** 19:00

采購商品

采購數(shù)量

計(jì)量單位

所屬分類

氮化硅LPCVD流片

6

張

電子、通信與自動控制技術(shù)研究服務(wù)

預(yù)算單價(jià)

￥ 60,000.00

技術(shù)參數(shù)及配置要求

1. LPCVD Si3N4厚度400 nm，退火后最小CD：200 nm，最小gap：250 nm。CD線寬控制：200±20 nm；Si3N4側(cè)壁角度：＞86°。
2. 在400 nm Si3N4上進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度200 nm，套刻精度：70 nm。Slab 厚度：200±15 nm，Si3N4厚度：400±20 nm
3. Si3N4上進(jìn)行SiO2填充，≥250 nm的gap需要保證SiO2填充完整。
4. TiN方塊電阻中心和邊緣的均值：13.5ohm/sq。最小CD：2μm 。
5. Si3N4單模波導(dǎo)（1μm寬度）傳輸損耗：≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。
6. 端面耦合（c波段，MFD_2p5μm）：TE：loss＜2dB/facet，TM：loss＜2.1dB/facet。
7. 1*2MMI（c波段）：損耗≈0.2dB ，不平衡度＜0.1dB。
8. crossing（c波段）：損耗≈0.2dB。

售后服務(wù)

電話支持: 5x8小時;服務(wù)時限:報(bào)修后48小時;商品承諾:原廠全新未拆封正品;