2026年銅陵學(xué)院銅基新材料與先進(jìn)制造學(xué)科群科研儀器設(shè)備更新改造項目-半導(dǎo)體材料生長項目招標(biāo)預(yù)告（原標(biāo)題：2026年銅陵學(xué)院銅基新材料與先進(jìn)制造學(xué)科群科研儀器設(shè)備更新改造項目-半導(dǎo)體材料生長項目）

本項目擬建設(shè)百級至萬級潔凈環(huán)境凈化間及相關(guān)輔助系統(tǒng)，包括高效過濾送風(fēng)系統(tǒng)、溫濕度精密控制系統(tǒng)、防靜電地面與墻面、氣密門、壓差監(jiān)控裝置、純水/純氣供應(yīng)接口、廢氣廢液處理單元等。擬引進(jìn)化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)，用于高質(zhì)量單晶薄膜、異質(zhì)結(jié)的原子層級可控生長。具備超高真空環(huán)境、精確組分調(diào)控、多源共蒸發(fā)/氣流切換等功能，支持III-V族、II-VI族、氧化物及二維過渡金屬硫族化合物等材料體系。將服務(wù)于半導(dǎo)體材料生長等前沿方向的基礎(chǔ)研究，打造區(qū)****

本項目非專門面向中小企業(yè)